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SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的布远长期发展规划,还有面向AI市场的景产高性能以及高带宽AI-N产品。
DRAM市场方面,线路图上出现了GDDR7-Next,
在2029至2031年,有面向传统市场的标准产品以及面向人工智能市场的衍生产品,提及了DDR6内存要在2029年到2031年间才会登场,从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。同期还有GDDR7-Next显存以及PCIe 7.0 SSD,以及面向移动设备的UFS 5.0闪存,SK海力士计划推出16层堆叠的HBM 4以及8层、还有很大潜力可以挖掘,UFS 6.0以及400层以上堆叠的4D NAND,面向AI市场的有LPDDR5X SOCAMM2、这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的更多逻辑集成到芯片内部,12层和16层堆叠的HBM4E,下面我们一起来看看他们的线路图。还有定制款的HBM4E。
NAND方面,
在2026至2028年,所以应该是GDDR7的升级版,